過去30年,超結(jié)MOS芯片面積不斷減小,然而氮化鎵卻是一個質(zhì)的飛躍
芯片面積小意味著更低的成本,但同時也會帶來大一些的熱阻(標稱電流小)
盡管氮化鎵是一個橫向器件,其芯片面積與超結(jié)MOS相比,仍然具有巨大的面積優(yōu)勢:
參考文獻:陳橋梁,功率MOSFET:從原理、特性到應用分析
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