根據(jù)實(shí)際測(cè)試的數(shù)據(jù),這里有較為真實(shí)的氮化鎵門極驅(qū)動(dòng)開關(guān)分析。
注意關(guān)斷器件,門極電壓看似有米勒平臺(tái),但那不是真正的米勒平臺(tái)(這時(shí)候門極電壓已經(jīng)低于閾值電壓)。
Peter Di Maso, Lucas Lu, GaN E-HEMTs Enable Innovation in Power Switching Applications, GaN Systems, APEC 201