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最左邊是我們常見(jiàn)的增強(qiáng)型，也就是常關(guān)型氮化鎵器件；中間的是耗盡型，也就是常開(kāi)型氮化鎵器件，最右邊的硅的LDMOS。我們看到這三者有很多相似的地方：首先他們都是橫向器件，源極、漏極、門(mén)極都在芯片的上表面。漏源極電流Ids在芯片的上表面橫向流動(dòng)。第二，他們都是在硅襯底上長(zhǎng)外延。不同之處在于硅LDMOS上長(zhǎng)的是硅材料外延，并使用離子注入的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)P/N結(jié)摻雜，而氮化鎵器件則是利用MOCVD生長(zhǎng)氮化物外延層。第三，氮化鎵和硅LDMOS都是通過(guò)芯片表面的導(dǎo)電溝道來(lái)導(dǎo)電。增強(qiáng)型氮化鎵和耗盡型氮化鎵的本質(zhì)區(qū)別在于門(mén)極未加任何電壓的時(shí)候，二維電子氣導(dǎo)電溝道是否是導(dǎo)通的。如果不做特別的工藝設(shè)計(jì)，氮化鎵天生是耗盡型器件，二維電子氣導(dǎo)電溝道需要門(mén)極施加負(fù)壓來(lái)關(guān)斷。增強(qiáng)型氮化鎵器件，因?yàn)樵阡X鎵氮阻擋層和門(mén)極金屬中間還有一個(gè)叫p-GaN的層，這種設(shè)計(jì)使得門(mén)極下方的二維電子氣溝道初始狀態(tài)是斷開(kāi)的，實(shí)現(xiàn)了常關(guān)的功能。
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