增強(qiáng)型(E-mode)和耗盡型(D-mode)氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和硅LDMOS的結(jié)構(gòu)非常相似,都是橫向器件。他們都需要使用場(chǎng)板來(lái)提升擊穿電壓。
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