不同的封裝會有不同的結-殼熱阻。但封裝形式的影響遠遠小于芯片自身的尺寸對結-殼熱阻的影響。我們使用英飛凌的數據做了一個全面的比較,可見對于硅器件而言,無論是直插封裝(例如TO220)還是表面貼封裝(DFN),差不多的Rdson帶來很接近的結-殼熱阻。然而同樣類似的Rdson,氮化鎵的結-殼熱阻卻要大很多。這本質上是因為和超結MOS比,相同Rdson,氮化鎵的芯片面積要小很多。小面積帶來結-殼電阻的增加。
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